WML10N70C4 MOSFET 管是一款高性能的功率開關(guān)器件，采用先進的半導(dǎo)體技術(shù)制造，專為滿足現(xiàn)代電源管理應(yīng)用的高效能和高可靠性需求而設(shè)計。這款N溝道MOSFET擁有700V的擊穿電壓和10A的連續(xù)漏極電流，使其在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

主要特點：

1. 高壓能力： WML10N70C4 具有700V的高擊穿電壓，適用于高壓電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電源等應(yīng)用。

2. 高效能： 采用先進的設(shè)計工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，從而提高了系統(tǒng)的整體效率。

3. 可靠性： 高質(zhì)量的制造工藝保證了器件的穩(wěn)定性和長壽命，適應(yīng)各種苛刻的工作環(huán)境。

4. 封裝形式： TO-220封裝提供了良好的散熱性能，適合需要高散熱能力的應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域：WML10N70C4 MOSFET 管廣泛應(yīng)用于各種電源管理和轉(zhuǎn)換設(shè)備中，包括但不限于：

• 開關(guān)電源（SMPS）

• 電動工具

• 照明設(shè)備

• 電機驅(qū)動器

• 逆變器

• 適配器和充電器

這款器件在設(shè)計中考慮了現(xiàn)代電源管理系統(tǒng)對高效能和高可靠性的雙重需求，通過優(yōu)化的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和先進的制造工藝，使其在性能和穩(wěn)定性方面都達到了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。特別適用于需要高開關(guān)速度和低損耗的應(yīng)用場合，如計算機電源、家用電器和工業(yè)控制系統(tǒng)等。

技術(shù)參數(shù)：

• 擊穿電壓 (Vds)： 700V

• 連續(xù)漏極電流 (Id)： 10A

• 導(dǎo)通電阻 (Rds(on))： 0.75Ω

• 柵極電荷 (Qg)： 45nC

WML10N70C4 MOSFET 管不僅在性能上優(yōu)越，而且具有極高的性價比，是各類電子工程師和開發(fā)人員的理想選擇。其穩(wěn)定的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域使其成為電源管理和轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中不可或缺的關(guān)鍵器件。

無論是用于工業(yè)電源、消費電子還是汽車電子，WML10N70C4 都能提供卓越的性能表現(xiàn)，幫助客戶實現(xiàn)高效、可靠的電源解決方案。華芯半導(dǎo)體致力于提供高質(zhì)量的電子元器件，為客戶的產(chǎn)品創(chuàng)新和技術(shù)進步提供強有力的支持。

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